集成電路的制造過(guò)程主要以晶圓為基本材料，經(jīng)過(guò)表面氧化膜的形成和感光劑的涂布后，結(jié)合光罩進(jìn)行曝光、顯像，使晶圓上形成各類(lèi)型的電路，再經(jīng)蝕刻、光阻液的去除及不純物的添加后，進(jìn)行金屬蒸發(fā)，使各元件的線(xiàn)路及電極得以形成，后進(jìn)行晶圓探針檢測(cè);然后切割成芯片，再經(jīng)粘著、連線(xiàn)及包裝等組配工程而成電子產(chǎn)品。各主要制程單元概述如下：

 氧化與模附著

原料晶圓在投入制程前，本身表面涂有2μm厚的AI2O3，與甘油混合溶液保護(hù)之，晶圓的表面及角落的污損區(qū)域則藉化學(xué)蝕刻去除。

為制成不同的元件及集成電路，在芯片長(zhǎng)上不同的薄層，這些薄層可分為四類(lèi):熱氧化物，介質(zhì)層，硅晶聚合物及金屬層。熱氧化物中重要的薄層有閘極氧化層(gate oxide;與場(chǎng)氧化層(field oxide)，此二層均由熱氧化程序制造。